可控硅和IGBT是現代電力電子領域中常用的兩種功率半導體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉換中發揮重要作用，但它們在結構、工作原理、性能特點和應用等方面存在著顯著差異。本文將詳細介紹可控硅和IGBT的區別
靜止式進相器是串接在電機轉子回路中，通過改變轉子電流與轉子電壓的相位關系，進而改變電機定子電流與電壓的相位關系，達到提高電機自身的功率因數和效率，提高電機過載能力、降低電機定子電流、降低電機自身損耗的目的
對瞬變電壓的吸收功率(峰值)與瞬變電壓脈沖寬度間的關系，手冊給的只是特定脈寬下的吸收功率(峰值)，而實際線路中的脈沖寬度則變化莫測，事前要有估計，對寬脈沖應降額使用
肖特基二極管已經緊跟著科技的步伐進入到大家的生活以及工作中，業內人士都知道，肖特基二極管在使用中會有很多的問題。那么，肖特基二極管在實際應用中應該注意哪些事項呢
肖特基二極管快恢復二極管都屬于快速二極管，一般情況下，這兩種二極管是怎樣進行工作的呢？普及一下肖特基二極管和快恢復二極管的自然屬性
